2 nm výrobný proces oficiálne predstavený. Už vieme, kedy TSMC vypustí do sveta revolučnú inováciu

Najväčší zmluvný výrobca procesorových čipov na svojom technologickom sympóziu oficiálne predstavil novú výrobnú technológiu N2 (2 nm technológia). Tú taiwanská spoločnosť Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) plánuje spustiť v druhej polovici roku 2025. Na tému upozornil portál AnandTech.

Ako ďalej informuje web Tom’s Hardware, výrobný proces N2 bude predstavovať veľkú zmenu v podobe prechodu zo známych FinFET tranzistorov na GAAFET (Gate All Around Field-Effect Transistors).

Na niečom veľmi podobnom pracuje aj IBM, ktoré taktiež operuje s tzv. nanosheet technológiou, v ktorej je každý tranzistor tvorený tromi na sebe naskladanými vodorovnými vrstvami kremíka, pričom každý z nich je hrubý iba niekoľko nanometrov. Viac informácií nájdeš v samostatnom článku.

TSMC

Nová výrobná technológie TSMC N2 podstate prinesie dve zásadné inovácie. Prvou sú nanosheet tranzistory, ktoré TSMC pomenovala GAAFET. Tieto tranzistory majú svoje kanály obklopené zo všetkých štyroch strán, čo by malo priniesť výhody v podobe zníženia zvodového prúdu hradla (tranzistora riadeného poľom – FET), ale tiež aj možnosť upravenia šírky kanála.

Práve úprava šírky kanála umožňuje zmenu vlastností, vďaka čomu je možné, buď zvyšovať výkon, alebo znižovať spotrebu energie. Druhou je vylepšenie napájania. Tranzistor využíva tzv. backside power delivery, čo umožňuje lepšie dodávanie energie do tranzistoru. V jednoduchosti umožňuje toto napájanie zvýšiť výkon tranzistora a zároveň znížiť jeho spotrebu.

Vo všeobecnosti nová výrobná technológia sľubuje zvýšenie výkonu o 10 až 15 % pri rovnakej spotrebe, 23 až 30 % zníženie spotreby pri rovnakom výkone a tiež malé, iba 1,1-násobné zvýšenie hustoty tranzistorov v porovnaní s 3 nm výrobnou technológiou N3E.

Myslelo sa aj na ďalšie technológie

N3E je v podstate vylepšená technológia N3, ktorá ponúka oproti N5 (5nm) až 18 % zvýšenie výkonu pri rovnakej spotrebe, 34 % zníženie spotreby pri rovnakom výkone a 1,3-násobné zvýšenie hustoty tranzistorov. Technológiu N3E pritom TSMC plánuje spustiť už budúci rok.

TSMC

TSMC postupne uvoľní až 5 rôznych tried 3nm technológie a to N3, N3E (3nm Enhanced), N3P (3nm Performance Enhanced), N3S (3nm Density Enhanced) a N3X (3nm Ultra High Performance), píše portál SamMobile. Ako už z názvu vyplýva tieto triedy prinesú vyšší výkon, väčšiu hustotu, alebo väčšiu energetickú účinnosť. Všetky uvedené triedy pritom budú využívať technológiu FinFlex.

Podstatou tejto technológie je to, že inžinierom umožní vybrať si medzi rôznymi knižnicami FinFET tranzistorov, čo im poskytne ďalšie spôsoby optimalizácie výkonu, spotreby a veľkosti matrice, upozorňuje portál Tom’s Hardware.

Čítajte viac z kategórie: Novinky