Terabajtový pamäťový modul typu eUFS 2.1 začína Samsung vyrábať vo veľkom a ocitnúť sa môže už v niektorej z jeho pripravovaných vlajkových lodí.

Nová 1 TB pamäť od Samsungu prináša v porovnaní s doterajšími čipmi výrazne vyššiu rýchlosť zápisu a čítania dát. Pri zápise ide o rýchlosť až 260 MB/s a načítavanie údajov z pamäte môže prebiehať rýchlosťou až 1 GB/s. Takáto pamäť pritom bude bez problémov zvládať ukladanie aj 10 minútových 4K videí a ďalších vysokokvalitných záznamov z fotoaparátov smartfónov.

Zobraziť celú galériu (1)

Samsung

Viac úložiska však príde vhod aj pri rozšírenej či virtuálnej realite. Terabajtový čip eUFS 2.1 nie je pritom väčší ako 512 GB modul, no cena za smartfón s takýmto úložiskom bude poriadne vysoká. Očakáva sa, že túto pamäť Samsung zabuduje do nového modelu Galaxy Note 10, ktorý môže stáť v najvyššej verzii až 1 500 dolárov.