Spolu s vy??ími nárokmi na ni??iu spotrebu a stále vä??í výkon na?ich smartfónov musia výrobcovia h?ada? cestu v zmen?ovaní procesorov. Donedávna sa tieto ?ipy vyrábali e?te 20 nm ?i 16 nm technológiou. Sta?ilo v?ak len pár rokov, aby sa IBM v spolupráci so Samsungom a spolo?nos?ou GlobalFoundries podaril naozaj prelomový objav.
Sleduj Fontech.sk aj na Facebooku, YouTube a Instagrame!
Bola to práve spolo?nos? IBM, ktorá pred dvomi rokmi predstavila novú 7 nm technológiu pre výrobu ?ipov a teraz znova stojí za vývojom e?te revolu?nej?ieho 5 nm procesu. Procesory a iné ?ipy vyrobené 7 nm technológiou sa mô?u ocitnú? u? v budúcoro?ných zariadeniach. Ke??e je táto 5 nm technológia e?te stále ?erstvým objavom, tak na jeho uplatnenie v praxi si chví?u musíme po?ka?. Doteraj?ie FinFET tranzistory vyu?ívali hradlový materiál, ktorý sa nachádza okolo vertikálnych nano?lánkov.
zdroj fotografie: IBM
Nenechaj si ujs?
Samsung a Qualcomm pracujú na najvýkonnej?om mobilnom procesore budúceho roka. Ako prvý ho opä? pou?ije Samsung
Pri nových 5 nm ?ipoch sú v?ak vyu?ívané tranzistory GAAFET (gate-all-around). Hradlový materiál je rozlo?ený vôkol trojice horizontálne orientovaných silikónových nano?lánkov. Pod?a IBM by bolo mo?né aj ?ipy s FinFET tranzistormi zmen?i? a? na 5 nm, no v tomto prípade sú tie limitované tokom elektrického prúdu. GAAFET tranzistory sú tak ideálnej?ím a jednoduch?ím rie?ením. Taktie? prinesú do sveta technológií mnoho výhod a medzi inými aj 40 % nárast výkonu v porovnaní s 10 nm ?ipmi.
zdroj fotografie: IBM Research/Youtube
Nove ?ipy s 5 nm technológiou doká?u tie? u?etri? batériu, a to a? o 75 % oproti tým aktuálnym. V?aka novému EUV (Extreme Ultraviolet) procesu je mo?né pri výrobe ?ipy nastavova? pomocou zmeny ?írky nano?lánku. Pri týchto zmenách sa dosiahne vyladenie ?ipu ako po výkonovej stránke, tak aj po stránke spotreby energie. To v?etko je mo?né vykona? u? v jednom výrobnom procese.
