Spolu s vyššími nárokmi na nižšiu spotrebu a stále väčší výkon našich smartfónov musia výrobcovia hľadať cestu v zmenšovaní procesorov. Donedávna sa tieto čipy vyrábali ešte 20 nm či 16 nm technológiou. Stačilo však len pár rokov, aby sa IBM v spolupráci so Samsungom a spoločnosťou GlobalFoundries podaril naozaj prelomový objav.

Bola to práve spoločnosť IBM, ktorá pred dvomi rokmi predstavila novú 7 nm technológiu pre výrobu čipov a teraz znova stojí za vývojom ešte revolučnejšieho 5 nm procesu. Procesory a iné čipy vyrobené 7 nm technológiou sa môžu ocitnúť už v budúcoročných zariadeniach. Keďže je táto 5 nm technológia ešte stále čerstvým objavom, tak na jeho uplatnenie v praxi si chvíľu musíme počkať. Doterajšie FinFET tranzistory využívali hradlový materiál, ktorý sa nachádza okolo vertikálnych nanočlánkov.

zdroj fotografie: IBM

Nenechaj si ujsť
Samsung a Qualcomm pracujú na najvýkonnejšom mobilnom procesore budúceho roka. Ako prvý ho opäť použije Samsung

Pri nových 5 nm čipoch sú však využívané tranzistory GAAFET (gate-all-around). Hradlový materiál je rozložený vôkol trojice horizontálne orientovaných silikónových nanočlánkov. Podľa IBM by bolo možné aj čipy s FinFET tranzistormi zmenšiť až na 5 nm, no v tomto prípade sú tie limitované tokom elektrického prúdu. GAAFET tranzistory sú tak ideálnejším a jednoduchším riešením. Taktiež prinesú do sveta technológií mnoho výhod a medzi inými aj 40 % nárast výkonu v porovnaní s 10 nm čipmi.

zdroj fotografie: IBM Research/Youtube

Nove čipy s 5 nm technológiou dokážu tiež ušetriť batériu, a to až o 75 % oproti tým aktuálnym. Vďaka novému EUV (Extreme Ultraviolet) procesu je možné pri výrobe čipy nastavovať pomocou zmeny šírky nanočlánku. Pri týchto zmenách sa dosiahne vyladenie čipu ako po výkonovej stránke, tak aj po stránke spotreby energie. To všetko je možné vykonať už v jednom výrobnom procese.